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Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
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Lauree magistrali | 2020 | Experimental characterization of sub 0.15 µm-gate In(Ga)AlN/GaN HEMTs adopting Fe compensation or double heterojunction for carrier confinement | Experimental characterization of sub 0.15 µm-gate In(Ga)AlN/GaN HEMTs adopting Fe compensation or double heterojunction for carrier confinement | TONELLO, ANDREA |
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