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| Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
|---|---|---|---|---|---|
| Lauree magistrali | 2025 | Analisi degli effetti dello stress elettrico su tecnologie p-GaN HEMT: caratterizzazione della tensione di soglia e resistenza di on-state a livello di wafer | Investigation of Electrical Stress Effects on Schottky p-GaN HEMT Technologies: Characterisation of Threshold Voltage and On-Resistance at Wafer-Level | CRAGNOLINI, FABIO |
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