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Caratterizzazione ed affidabilità di transistor ad alta mobilità realizzati su GaN (Ga-Polar e N-Polar)
2011/2012 Malandrin, Alberto
Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente
2010/2011 Bellesini, Mirko
Studio della robustezza di HEMT su GaN mediante stress accelerati
2010/2011 Silvestri, Riccardo
Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
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Lauree magistrali | 2011 | Caratterizzazione ed affidabilità di transistor ad alta mobilità realizzati su GaN (Ga-Polar e N-Polar) | - | Malandrin, Alberto | |
Lauree specialistiche | 2010 | Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente | - | Bellesini, Mirko | |
Lauree specialistiche | 2010 | Studio della robustezza di HEMT su GaN mediante stress accelerati | - | Silvestri, Riccardo |
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