Caratterizzazione ed affidabilità di transistor ad alta mobilità realizzati su GaN (Ga-Polar e N-Polar)

Il presente lavoro dà conto dello studio condotto su due diverse tipologie di transistor realizzati su Nitruro di Gallio (GaN): i N-Polar HEMT ed i MESFET. I transistor su GaN, ed in particolar modo gli HEMT, sono da preferirsi per le ottime caratteristiche del materiale e della struttura che li costituisce ed hanno dimostrato elevate densità di potenza ed elevate frequenze operative raggiungibili. La tecnologia N-Polar, poi, che si distingue da quella Ga-Polar per l’opposta orientazione di crescita dei cristalli di GaN, è estremamente promettente per applicazioni a frequenze ancora maggiori, che si ottengono con lo scaling delle dimensioni dei transistor. Per entrambi i wafer si sono effettuate misure preliminari di caratterizzazione statica e dinamica. Infine sono state svolte delle indagini su alcuni meccanismi di degrado cui possono intercorrere tali dispositivi al fine di individuare soluzioni che consentano alla tecnologia di raggiungere robustezza e prestazioni sempre migliori