Elettrodeposizione di metalli accoppiata a transistor ad effetto di campo operanti in liquido

I transistor a effetto di campo basati su ossido di grafene ridotto (rGO-FET) rappresentano piattaforme di sensing sensibili e versatili. La riduzione parziale del GO consente di ottenere un’elevata conducibilità preservando al contempo i gruppi funzionali superficiali necessari all’immobilizzazione dei recettori, permettendo così il rilevamento selettivo e in tempo reale di specie chimiche e biologiche. La fabbricazione a basso costo e scalabile, unita a un’elevata capacità di trasduzione del segnale, rende gli rGO-FET candidati promettenti per applicazioni di biosensing e monitoraggio ambientale. Sulla base di tali considerazioni, sono stati realizzati transistor a gate elettrolitico (EGT) utilizzando film sottili di rGO depositati su substrati commerciali dotati di microelettrodi d’oro sputterati su polietilene tereftalato (PET). Al fine di modificare il terminale di gate, sono stati elettrodepositati film compatti di Cu, Ni e Pb mediante approcci elettrochimici standard. Rispetto ai dispositivi con gate in Au non modificato, i dispositivi modificati hanno evidenziato miglioramenti significativi, tra cui uno spostamento della tensione di gate minima, un incremento della sensibilità potenziometrica e un segnale stabile per 1 ora in mezzi ad alta forza ionica (NaCl(aq) 1 M).