In questo lavoro di tesi è stato studiato l’effetto di degradazione di dispositivi HEMT su Nitruro di Gallio per applicazioni di potenza nel campo delle microonde (da 300 MHz a 300 GHz), in particolare analizzando l’effetto di una polarizzazione a corrente costante. La valutazione di degrado è stata realizzata mediante la caratterizzazione in DC, misure dinamiche e di elettroluminescenza
Studio dei fenomeni di degradazione di dispositivi HEMT su GaN sottoposti a stress in corrente
Corraini, Sebastiano
2010/2011
Abstract
In questo lavoro di tesi è stato studiato l’effetto di degradazione di dispositivi HEMT su Nitruro di Gallio per applicazioni di potenza nel campo delle microonde (da 300 MHz a 300 GHz), in particolare analizzando l’effetto di una polarizzazione a corrente costante. La valutazione di degrado è stata realizzata mediante la caratterizzazione in DC, misure dinamiche e di elettroluminescenzaFile in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/13481