In questo lavoro di tesi è stato studiato l’effetto di degradazione di dispositivi HEMT su Nitruro di Gallio per applicazioni di potenza nel campo delle microonde (da 300 MHz a 300 GHz), in particolare analizzando l’effetto di una polarizzazione a corrente costante. La valutazione di degrado è stata realizzata mediante la caratterizzazione in DC, misure dinamiche e di elettroluminescenza

Studio dei fenomeni di degradazione di dispositivi HEMT su GaN sottoposti a stress in corrente

Corraini, Sebastiano
2010/2011

Abstract

In questo lavoro di tesi è stato studiato l’effetto di degradazione di dispositivi HEMT su Nitruro di Gallio per applicazioni di potenza nel campo delle microonde (da 300 MHz a 300 GHz), in particolare analizzando l’effetto di una polarizzazione a corrente costante. La valutazione di degrado è stata realizzata mediante la caratterizzazione in DC, misure dinamiche e di elettroluminescenza
2010-07-13
116
GaN HEMT, stress in corrente
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/13481