Simulazioni per lo studio degli effetti da evento singolo su SRAM con ISE TCAD

Nell’elaborato viene sviluppata una panoramica generale sulle radiazioni ionizzanti e sulla loro interazione con la materia. Come è noto, questa interazione può causare danni di diversa tipologia ed entità. Si analizzano quindi, essendo l’interesse focalizzato sugli effetti da evento singolo, i meccanismi fisici più comuni che li generano nelle diverse tipologie di dispositivi microelettronici, dalle memorie ai circuiti combinatori, per poi descrivere i modelli con i quali solitamente vengono modellizzati a seconda di come avviene il trasporto dei portatori al loro interno. L’analisi sperimentale di tali effetti risulta complessa e costosa, così la simulazione risulta essere un utile strumento. Nell’elaborato si riporta lo studio della LET di soglia di una cella SRAM utilizzando ISE TCAD, fornendo le metodologie per tale analisi e una breve panoramica sui vari tools del software