Vengono studiati e sottoposte a misure eterostrutture AlGAN/GaN. In particolare diodi schottky di gate e GaN HEMTs, per lo studio di un nuovo meccanismo di degrado e per l'analisi del time to breakdown mediante stress a tensione costante (off-state stress)
Analisi dei meccanismi di degrado e stima del Time-to-Breakdown di eterostrutture AlGaN/GaN sottoposte a stress in condizioni di off-state
Dal Santo, Gabriele
2012/2013
Abstract
Vengono studiati e sottoposte a misure eterostrutture AlGAN/GaN. In particolare diodi schottky di gate e GaN HEMTs, per lo studio di un nuovo meccanismo di degrado e per l'analisi del time to breakdown mediante stress a tensione costante (off-state stress)File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/15813