Caratterizzazione e affidabilità di laser in GaN ad elevata efficienza

Lo scopo di questo lavoro è la caratterizzazione e l’analisi dell’affidabilità di diodi Laser in GaN ad alta efficienza. Si sono analizzati LD commerciali prodotti da CNI e da OSRAM, e LD sperimentali ancora in wafer forniti da un istituto di ricerca europeo. I test di affidabilità sono stati effettuati sottoponendo i campioni a diverse condizioni di stress variandone i parametri di temperatura e corrente di pilotaggio, e monitorando le variazioni delle principali caratteristiche.