Studio del breakdown di dispositivi GaN HEMT di potenza

I meccanismi di off-state breakdown e di rottura in forward bias dei dispositivi GaN HEMT sono tutt'ora oggetto di studi. Obiettivo di questa tesi è perciò quello di indagare i fenomeni di rottura dei transistor di tre diversi wafer. Per studiare i meccanismi di degrado off-state ci si è avvalsi di stress in tensione e corrente mentre per le indagini in forward bias solo di stress in tensione