Analisi dei processi di ricombinazione in diodi LED basati su GaN: caratterizzazione ottica e misure DLTS

In questo lavoro vengono analizzati i processi di ricombinazione nei diodi LED basati su GaN/InGaN mediante caratterizzazione ottica dei dispositivi e misure DLTS. In particolare si è cercato di stabilire come la diversa percentuale di indio presente nello strato attivo di InGaN dei LED analizzati ne influenzi le performance sia a livello di emissione ottica, sia dal punto di vista dei difetti reticolari