Analisi della stabilità di due generazioni di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali

I transistor GaN HEMT sono una tecnologia promettente nel campo dell’alta frequenza, ma presentano ancora grandi problemi di affidabilità. Lo scopo di questo lavoro è stato quello di indagare i meccanismi di degrado di questi dispositivi, confrontando la stabilità di due diverse tecnologie. Dopo una caratterizzazione preliminare tramite misure DC, impulsate e di elettroluminescenza si sono sottoposti i dispositivi ad una serie di stress in tensione a medio termine