Studio dei fenomeni di intrappolamento di carica e di degrado in dispositivi GaN-HEMT, con analisi dei fenomeni in dispositivi package attraverso misure dinamiche e DC
Fenomeni di intrappolamento di carica su dispositivi gan-hemt con substrato in silicio per applicazioni di potenza
Girotto, Marco
2013/2014
Abstract
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/17465