Studio dei fenomeni di intrappolamento di carica e di degrado in dispositivi GaN-HEMT, con analisi dei fenomeni in dispositivi package attraverso misure dinamiche e DC
Fenomeni di intrappolamento di carica su dispositivi gan-hemt con substrato in silicio per applicazioni di potenza
Girotto, Marco
2013/2014
Abstract
Studio dei fenomeni di intrappolamento di carica e di degrado in dispositivi GaN-HEMT, con analisi dei fenomeni in dispositivi package attraverso misure dinamiche e DCFile in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
tesi_marco_girotto.pdf
accesso riservato
Dimensione
4.64 MB
Formato
Adobe PDF
|
4.64 MB | Adobe PDF |
The text of this website © Università degli studi di Padova. Full Text are published under a non-exclusive license. Metadata are under a CC0 License
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/20.500.12608/17465