Analisi delle correnti di leakage su transistor HEMT AlGaN/GaN al variare del drogaggio del buffer con carbonio

In questa tesi sono state svolte misure DC, Double Pulse e DLTS su transistor HEMT AlGaN/GaN con diverse soluzioni progettuali: variazione dello spessore dello strato superficiale di GaN, dello spessore dello strato UID (UnIntentionally Doped) e della percentuale di drogaggio del buffer con carbonio. In particolare, sono emerse correlazioni tra la percentuale di carbonio e l’entità di alcuni fenomeni quali il current collapse, il DIBL, il leakage di gate e l’intrappolamento di carica