Si parlerà dell’autoriscaldamento degli HBT. Dapprima si introdurrà l’argomento dal punto di vista fisico; in seguito, si parlerà dell’importanza delle misure pulsate e della resistenza termica nella caratterizzazione dei fenomeni termici, presentando i componenti che sono oggetto dello studio. Saranno possibili delle considerazioni sulle loro caratteristiche elettro-termiche. Sarà tracciato l’andamento della resistenza in funzione della temperatura interna

Characterisation of Self-Heating in SiGe:C HBTs and InP HBTs

Cabbia, Marco
2017/2018

Abstract

Si parlerà dell’autoriscaldamento degli HBT. Dapprima si introdurrà l’argomento dal punto di vista fisico; in seguito, si parlerà dell’importanza delle misure pulsate e della resistenza termica nella caratterizzazione dei fenomeni termici, presentando i componenti che sono oggetto dello studio. Saranno possibili delle considerazioni sulle loro caratteristiche elettro-termiche. Sarà tracciato l’andamento della resistenza in funzione della temperatura interna
2017-12-11
transistor, bipolare, eterogiunzione, terahertz, SiGe HBT, InP HBT, InGaAs, GaAsSb, autoriscaldamento, giunzione
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/24145