Analisi dei processi di emissione legati ai difetti e dell'affidabilità di LED verdi InGaN/GaN sottoposti a stress in polarizzazione diretta e inversa

Nel seguente lavoro vengono analizzati i processi di emissione legati ai difetti nei LED verdi InGaN/GaN: in particolare saranno individuati dei difetti sia in polarizzazione inversa che diretta, notando come quest'ultimi presentino delle componenti di emissione molto pronunciate all'interno della banda spettrale rossa. A questo punto si passerà a studiare la natura di questi difetti con componente di emissione rossa, analizzando il loro comportamento al variare della corrente e della temperatura. Nella seconda parte di lavoro verrà invece studiata la robustezza dei LED verdi InGaN/GaN alle scariche ESD, allo scopo di individuare eventuali correlazioni tra questa e i difetti: in particolare verranno osservati degli effetti benefici in seguito all'applicazione di pre-impulsi di corrente inversa, consistenti in una riduzione della corrente assorbita e dell'emissione in polarizzazione inversa. Infine verranno analizzati gli effetti di degrado su dispositivi sottoposti a stress in polarizzazione diretta e che sono stati precedentemente soggetti all'applicazione di impulsi di corrente inversa, dimostrando che gli effetti benefici inizialmente individuati in realtà sono solo apparenti