Caratterizzazione e affidabilità di transistor ad elevata mobilità AlGaN/GaN con gate trasparente in Indium-Tin-Oxide (ITO)

La tesi presente verte sulla caratterizzazione e affidabilità di dispositivi HEMT in AlGaN/GaN. I dispositivi analizzati sono contenuti nel wafer V080404CF fabbricato alla University of California, Santa Barbara. Tutti gli HEMT studiati sono costruiti con una struttura gate recessed e passivati in SiN. Sono caratterizzati da tre differenti tipologie di gate: Ni/Au/Ni, Ni/ITO, ITO. Con lo scopo di verificarne l’affidabilità sono stati sottoposti a misure di degrado (stress). Per ogni step di stress sono stati misurati sia attraverso caratterizzazione DC sia attraverso misure di elettroluminescenza. È infine stata fatta una valutazione di tipo dinamico con misure di tipo double pulse. Con la presente si cerca di verificare le proprietà dei dispositivi in base alla tipologia di gate utilizzato; si cerca infine di verificare l’attendibilità di alcuni fenomeni di degrado come l’effetto piezoelettrico inverso