Influenza del coefficiente di ricombinazione non radiativa sulle prestazioni elettriche ed ottiche di LED in InGaN/GaN

Il presente lavoro ha lo scopo di studiare l'influenza del coefficiente di ricombinazione non radiativa sulle prestazioni elettriche ed ottiche di LED in InGaN/GaN. L'analisi è stata svolta su LED in InGaN, aventi emissione nel blu, cresciuti su un substrato di zaffiro e con differenti coefficienti di ricombinazione non radiativa, tramite misure elettriche ed ottiche. Le diverse misure realizzare sono servite a osservare l'effetto del coefficiente di ricombinazione non radiativa sulle grandezze tipiche esaminate per dispositivi optoelettronici e per comprenderne il comportamento ed eventuali leggi che lo regolano. In ultima istanza, è stato applicato un metodo per stimare il coefficiente di un dispositivo per ogni famiglia, al fine di confermare le ipotesi proposte nel corso del lavoro