Studio delle correnti di perdita verticali e del breakdown in eterostrutture AlGaN/GaN utilizzate per dispositivi di potenza

In questo elaborato vengono studiati i processi di conduzione che caratterizzano le perdite verticali e i meccanismi di breakdown in eterostrutture AlGaN/GaN, cresciute su un substrato di silicio di tipo p, per mezzo di misure corrente-tensione al variare della temperatura. Lo studio viene effettuato su sotto-strutture seguendo un processo di crescita epitassiale standard, fino a giungere all'eterostruttura completa di tutti i suoi strati.