In questo elaborato vengono studiati i processi di conduzione che caratterizzano le perdite verticali e i meccanismi di breakdown in eterostrutture AlGaN/GaN, cresciute su un substrato di silicio di tipo p, per mezzo di misure corrente-tensione al variare della temperatura. Lo studio viene effettuato su sotto-strutture seguendo un processo di crescita epitassiale standard, fino a giungere all'eterostruttura completa di tutti i suoi strati.
Studio delle correnti di perdita verticali e del breakdown in eterostrutture AlGaN/GaN utilizzate per dispositivi di potenza
Benazzi, Davide
2020/2021
Abstract
In questo elaborato vengono studiati i processi di conduzione che caratterizzano le perdite verticali e i meccanismi di breakdown in eterostrutture AlGaN/GaN, cresciute su un substrato di silicio di tipo p, per mezzo di misure corrente-tensione al variare della temperatura. Lo studio viene effettuato su sotto-strutture seguendo un processo di crescita epitassiale standard, fino a giungere all'eterostruttura completa di tutti i suoi strati.File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/28829