L’utilizzo del germanio nella tecnologia dei semiconduttori si sta espandendo e vede sempre di più la sostituzione del silicio, grazie ad alcune proprietà come la band gap più piccola e una maggiore velocità dei portatori di carica. La possibilità inoltre di ottenere germanio iperpuro, con bassissimi livelli di contaminante, rende questo elemento eccellente per l’ultilizzo in alcuni campi specifici, come quello dei detector. La presenza ridotta di drogante permette la creazione di diodi con grandi zone di svuotamento, quindi molto efficienti nel processo di raccolta dei portatori di carica. Il punto critico di questa tecnologia è la realizzazione delle giunzioni, infatti spesso accade che i processi utilizzati per crearle vadano a contaminare il materiale bulk, facendo perdere efficienza al detector. In questo lavoro si utilizza il processo pulsed laser melting come metodo per la creazione di giunzioni sottili n+ da drogante litio depositato tramite magnetron sputtering allo scopo di studiarne l’efficacia, preservando la purezza del materiale bulk.

Sviluppo di giunzioni sottili n+ da drogante litio tramite sputtering e pulse laser melting per detector al germanio iperpuro

VALZANI, DAVIDE
2021/2022

Abstract

L’utilizzo del germanio nella tecnologia dei semiconduttori si sta espandendo e vede sempre di più la sostituzione del silicio, grazie ad alcune proprietà come la band gap più piccola e una maggiore velocità dei portatori di carica. La possibilità inoltre di ottenere germanio iperpuro, con bassissimi livelli di contaminante, rende questo elemento eccellente per l’ultilizzo in alcuni campi specifici, come quello dei detector. La presenza ridotta di drogante permette la creazione di diodi con grandi zone di svuotamento, quindi molto efficienti nel processo di raccolta dei portatori di carica. Il punto critico di questa tecnologia è la realizzazione delle giunzioni, infatti spesso accade che i processi utilizzati per crearle vadano a contaminare il materiale bulk, facendo perdere efficienza al detector. In questo lavoro si utilizza il processo pulsed laser melting come metodo per la creazione di giunzioni sottili n+ da drogante litio depositato tramite magnetron sputtering allo scopo di studiarne l’efficacia, preservando la purezza del materiale bulk.
2021
Development of n+ lithium doping thin junctions through sputtering and pulse laser melting for hyperpure germanium detectors
semiconduttori
detector
litio
HPGe
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Valzani_Davide.pdf

accesso riservato

Dimensione 4.38 MB
Formato Adobe PDF
4.38 MB Adobe PDF

The text of this website © Università degli studi di Padova. Full Text are published under a non-exclusive license. Metadata are under a CC0 License

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/35178