Sintesi di precursori Molecolari di Ni(II) per processi di deposizione da fase vapore: caratterizzazione e validazione

Il buon esito di un processo CVD è strettamente legato alla possibilità di disporre di precursori molecolari che mostrino una buona volatilità, stabilità termica nelle condizioni di vaporizzazione e trasporto di massa al reattore, decomposizione pulita ed infine da una bassa reattività all’aria ed all’umidità. In aggiunta, la scelta del precursore è cruciale, in quanto esso condiziona in modo importante struttura, composizione e morfologia del nanomateriale ottenuto. In generale, l’utilizzo di precursori di seconda generazione, caratterizzati da una sfera di coordinazione completamente saturata, permette, impedendo reazioni di oligomerizzazione, di sfruttare al meglio le caratteristiche chimico-fisiche del precursore utilizzato modulando conseguentemente le proprietà del nanomateriale ottenuto mediante processi CVD. In questo lavoro di tesi sono stati sintetizzati tre nuovi precursori CVD di Ni(II): [Ni(tfa)2•TMEDA], [Ni(fod)2•TMEDA] e [Ni(dpm)2•TMEDA]. Un’attenta e dettagliata caratterizzazione dei composti ottenuti è stata effettuata al fine di ottenere una particolareggiata descrizione delle loro proprietà e sulla base dei dati ottenuti, tutti i composti sono stati testati in processi CVD impiegando differenti atmosfere di reazione.