Analisi dei processi di degrado ottico ed elettrico di laser DBR ad 1.55μm per la silicon photonics fabbricati con la tecnica μ-transfer printing

Questo lavoro ha come obiettivo l’analisi dei processi di degrado di laser DBR infrarossi impiegati nell’ambito delle telecomunicazioni. Al fine di determinare i modi di degrado dei dispositivi e la variazione dei parametri principali che li caratterizzano, sono stati fatti uno step stress con step da un’ora con incrementi di 10mA di corrente e uno stress a corrente costante imponendo una corrente di 250mA. Grazie all’analisi e all’elaborazione dei dati ottenuti da misure come I-V, L-I, C-V, C-F e spettri, si è cercato di determinare anche una correlazione tra degrado elettrico e ottico, l’importanza dell’auto-riscaldamento per questi di dispositivi e la generazione di difetti che diffondono nella regione attiva e che aumentano i processi di ricombinazione non-radiativa.