Semiconductor memories offer significant advantages in terms of compactness, power consumption and performance, but they require constant attention to maintain the integrity of the device and its contents. With the miniaturization of components, this aspect becomes increasingly crucial. Some potential failure mechanisms or sources of errors arise from the effects of ionizing radiation impacting the devices. The aim of this thesis is to assess the effects of X-ray inspections on NAND Flash memory devices, one of the most widely used memory architectures. In industrial production systems, particularly during the assembly phases of electronic boards, X-ray inspections are a fundamental and extensively employed tool for detecting assembly anomalies. This study tested the effects of inspections at various intensities on memories with different construction technologies, monitoring their performance, current absorption, and data retention.

Le memorie a semiconduttore presentano un grande vantaggio in termini di compattezza, consumi e prestazioni, ma richiedono costante attenzione nel mantenimento dell'integrità del dispositivo e del suo contenuto. Con la crescente miniaturizzazione dei componenti, questo aspetto risulta sempre più importante. Alcuni tra i possibili meccanismi di guasto o fonte di errori derivano dagli effetti delle radiazioni ionizzanti che impattano sui dispositivi. Lo scopo di questa tesi risiede nella valutazione degli effetti delle ispezioni a raggi-x su dispositivi di memoria di tipo NAND Flash, una delle architetture di memoria più utilizzate sul mercato. Nei sistemi di produzione industriale, in particolare per le fasi di assemblaggio di schede elettroniche, le ispezioni a raggi-x risultano uno strumento fondamentale e molto utilizzato per la rilevazione di anomalie di montaggio dei componenti. In questo studio sono stati testati gli effetti di ispezioni a diverse intensità su memorie con differenti tecnologie costruttive, monitorandone le prestazioni, l'assorbimento di corrente e la capacità di ritenzione del dato.

Impatto delle ispezioni a raggi X sulle prestazioni e sull'affidabilità di memorie a semiconduttore

MANNI, ANDREA
2023/2024

Abstract

Semiconductor memories offer significant advantages in terms of compactness, power consumption and performance, but they require constant attention to maintain the integrity of the device and its contents. With the miniaturization of components, this aspect becomes increasingly crucial. Some potential failure mechanisms or sources of errors arise from the effects of ionizing radiation impacting the devices. The aim of this thesis is to assess the effects of X-ray inspections on NAND Flash memory devices, one of the most widely used memory architectures. In industrial production systems, particularly during the assembly phases of electronic boards, X-ray inspections are a fundamental and extensively employed tool for detecting assembly anomalies. This study tested the effects of inspections at various intensities on memories with different construction technologies, monitoring their performance, current absorption, and data retention.
2023
Impact of X-ray inspections on the performance and reliability of semiconductor memories
Le memorie a semiconduttore presentano un grande vantaggio in termini di compattezza, consumi e prestazioni, ma richiedono costante attenzione nel mantenimento dell'integrità del dispositivo e del suo contenuto. Con la crescente miniaturizzazione dei componenti, questo aspetto risulta sempre più importante. Alcuni tra i possibili meccanismi di guasto o fonte di errori derivano dagli effetti delle radiazioni ionizzanti che impattano sui dispositivi. Lo scopo di questa tesi risiede nella valutazione degli effetti delle ispezioni a raggi-x su dispositivi di memoria di tipo NAND Flash, una delle architetture di memoria più utilizzate sul mercato. Nei sistemi di produzione industriale, in particolare per le fasi di assemblaggio di schede elettroniche, le ispezioni a raggi-x risultano uno strumento fondamentale e molto utilizzato per la rilevazione di anomalie di montaggio dei componenti. In questo studio sono stati testati gli effetti di ispezioni a diverse intensità su memorie con differenti tecnologie costruttive, monitorandone le prestazioni, l'assorbimento di corrente e la capacità di ritenzione del dato.
X-ray
Semiconductor memory
NAND Flash memory
Data retention
Performance
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