Amplificatore in Classe D con Tecnologia GaN per Filtri EMI Attivi

Nel contesto dei moderni sistemi di conversione di potenza, il controllo delle interferenze elettromagnetiche (EMI) rappresenta un aspetto sempre più critico. I tradizionali filtri EMI passivi, pur essendo ampiamente utilizzati per la loro semplicità e affidabilità, presentano limitazioni significative in termini di ingombro, peso e capacità di attenuazione, soprattutto nei sistemi ad alta densità di potenza. Per superare tali vincoli, l’utilizzo di filtri EMI attivi sta diventando sempre più diffuso migliorando così le prestazioni complessive del sistema. All’interno di questo contesto, il presente lavoro sviluppa uno stadio di iniezione basato su un amplificatore in classe D realizzato con dispositivi in nitruro di gallio (GaN). Tale soluzione viene proposta come alternativa ai tradizionali amplificatori operazionali, permettendo di ottenere una maggiore potenza disponibile per la compensazione mantenendo un’elevata efficienza. La necessità di generare segnali di compensazione a frequenze significativamente più elevate rispetto alle applicazioni convenzionali è affrontata adottando un’architettura a tre stadi interleaved. Il lavoro analizza infine le principali scelte circuitali e di layout che hanno guidato la realizzazione della PCB, fondamentali per garantire prestazioni ottimali nel contesto dei filtri EMI.