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| Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
|---|---|---|---|---|---|
| Lauree magistrali | 2020 | Studio della stabilità del contatto di gate di dispositivi HEMT in nitruro di gallio(GaN) | Study of the gate contact stability of gallium nitride HEMT devices | TOMMASIN, FILIPPO |
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