Studio della stabilità del contatto di gate di dispositivi HEMT in nitruro di gallio(GaN)

TOMMASIN, FILIPPO
2020/2021

2020
Study of the gate contact stability of gallium nitride HEMT devices
HEMT
Nitrurio di Gallio
Storage test
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/4903