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| Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
|---|---|---|---|---|---|
| Lauree magistrali | 2020 | Studio degli effetti causati da ioni ad altissima energia nei volumi nanometrici di memorie a semiconduttore per applicazioni spaziali. | Study of the effects caused by very high energy ions in the nanometric volumes of semiconductor memories for space applications. | GIORDANO, DANIELE |
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