Studio degli effetti causati da ioni ad altissima energia nei volumi nanometrici di memorie a semiconduttore per applicazioni spaziali.

GIORDANO, DANIELE
2020/2021
2020
Study of the effects caused by very high energy ions in the nanometric volumes of semiconductor memories for space applications.
Memorie
Eventi singoli
Radiazione
Elettronica spaziale
Spaziali
GERARDIN, SIMONE
Lauree magistrali
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/5291