Studio degli effetti causati da ioni ad altissima energia nei volumi nanometrici di memorie a semiconduttore per applicazioni spaziali.

GIORDANO, DANIELE
2020/2021

2020
Study of the effects caused by very high energy ions in the nanometric volumes of semiconductor memories for space applications.
Memorie
Eventi singoli
Radiazione
Elettronica spaziale
Spaziali
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/5291