In questo elaborato si affronta lo studio delle più comuni topologie circuitali di stadi di uscita a simmetria complementare: l’inseguitore di emettitore, la coppia complementare a retroazione e la recente configurazione a quartetto complementare. Per ciascuna tipologia verrà analizzato, sempre nell’ambito delle basse frequenze, il guadagno, la resistenza di ingresso, la resistenza di uscita e le loro condizioni di polarizzazione in classe B. Data l’esigenza di verificare in pratica ciò che si ottiene dalle simulazioni e dai calcoli manuali, si studieranno anche i circuiti ed i componenti accessori utilizzati di norma negli stadi finali ad audiofrequenza, nonché si progetterà un circuito di controllo del punto di lavoro atto a realizzare efficacemente le misure di interesse. Parallelamente si effettuerà una revisione del modello a parametri ibridi del transistor, a causa dei limiti dell’utilizzo dello stesso per correnti elevate, rendendolo più preciso attraverso misurazioni dirette sui componenti usati
Confronto tra diverse tipologie di stati di uscita
Negro, Stefano
2010/2011
Abstract
In questo elaborato si affronta lo studio delle più comuni topologie circuitali di stadi di uscita a simmetria complementare: l’inseguitore di emettitore, la coppia complementare a retroazione e la recente configurazione a quartetto complementare. Per ciascuna tipologia verrà analizzato, sempre nell’ambito delle basse frequenze, il guadagno, la resistenza di ingresso, la resistenza di uscita e le loro condizioni di polarizzazione in classe B. Data l’esigenza di verificare in pratica ciò che si ottiene dalle simulazioni e dai calcoli manuali, si studieranno anche i circuiti ed i componenti accessori utilizzati di norma negli stadi finali ad audiofrequenza, nonché si progetterà un circuito di controllo del punto di lavoro atto a realizzare efficacemente le misure di interesse. Parallelamente si effettuerà una revisione del modello a parametri ibridi del transistor, a causa dei limiti dell’utilizzo dello stesso per correnti elevate, rendendolo più preciso attraverso misurazioni dirette sui componenti usatiFile | Dimensione | Formato | |
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/13488