Simulazione degli effetti di radiazione ionizzante su pompe di carica per memorie flash

In questo lavoro ho preso in considerazione dei componenti utilizzati in ambienti estremi, come i circuiti operanti sui satelliti. L'esposizione a radiazioni ionizzanti a cui sono sottoposti ne può compromettere il funzionamento. L'obiettivo principale era quello di stimare la resistenza TID delle pompe di carica nelle memorie Flash. Per simulare l'effetto della dose totale di radiazione sui dispostivi ho introdotto in parallelo ad ogni MOSFET del circuito un transistor parassita. Inoltre ho modificato le tensioni di soglia VTH per simulare tre livelli progressivi di esposizione. In conclusione ho valutato la degradazione della tensione d’uscita VOUT delle tre diverse configurazioni circuitali di pompe di carica prese in considerazione