La tesi, svoltasi presso lo stabilimento di Agrate (MI) del gruppo STM, ha investigato la differente robustezza di protezioni singole e circuiti di protezione a fenomeni ESD di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è focalizzato sullo studio di dispositivi MOSFET da 0.18µm presentati in diverse configurazioni e dimensionamenti. Dopo una preliminare caratterizzazione delle protezioni in DC e vf-TLP si è provveduto ad analizzare l’efficacia delle stesse rispetto a elementi da proteggere durante fenomeni di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è concluso facendo delle failure analisys per vedere quali parti dei dispositivi risultavano danneggiate
Progettazione in tecnologia Smart Power 0.18um di elementi e circuiti di protezione per le scariche elettrostatiche secondo standard Charge Device Model
Ballarin, Giuseppe
2010/2011
Abstract
La tesi, svoltasi presso lo stabilimento di Agrate (MI) del gruppo STM, ha investigato la differente robustezza di protezioni singole e circuiti di protezione a fenomeni ESD di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è focalizzato sullo studio di dispositivi MOSFET da 0.18µm presentati in diverse configurazioni e dimensionamenti. Dopo una preliminare caratterizzazione delle protezioni in DC e vf-TLP si è provveduto ad analizzare l’efficacia delle stesse rispetto a elementi da proteggere durante fenomeni di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è concluso facendo delle failure analisys per vedere quali parti dei dispositivi risultavano danneggiate| File | Dimensione | Formato | |
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/13597