Comportamento stocastico dell'inverter CMOS in regione di sottosoglia

La continua richiesta di circuiti integrati digitali a basso consumo spinge sempre più spesso i progettisti a ridurre le tensioni di alimentazione. Tale riduzione però comporta, inevitabilmente, anche un aumento della sensibilità al rumore. Per questo motivo è necessario raffinare gli attuali modelli deterministici tenendo conto degli effetti di natura aleatoria introdotti dal termine di rumore. In particolare, questo lavoro è focalizzato allo sviluppo di un modello dell'inverter CMOS per bassissime tensioni di alimentazione, la cui regione di funzionamento dei MOSFET è sempre quella in sottosoglia per qualsiasi tensione di ingresso applicata. Di tale dispositivo se ne è dapprima ricavato il modello stocastico e, successivamente, ne abbiamo simulato al calcolatore il comportamento al variare dei parametri caratteristici. Grazie a queste simulazioni abbiamo ottenuto il limite inferiore di tensione per il quale l'inverter opera in maniera deterministica. Questo metodo e questi strumenti possono essere utilizzati come base per lo studio di circuiti CMOS più complessi il cui contributo dovuto al termine di rumore non è più una componente trascurabile