Lo scopo di questa tesi è lo studio dei meccanismi di degradazione degli switch sottoposti a stess impulsivi. Il fine è quello di trovare un modo per accelerare i fenomeni di microwelding per testare eventuali sistemi di restoring. I dispositivi usati sono RF-MEMS resistivi di tipo serie e shunt prodotti da FBK-IRST di Trento e disegnati dall'ARCES-DEIS di Bologna e dall'Università di Perugia

Meccanismi di degradazione in switch RF-MEMS per applicazioni spaziali sottoposti a stress impulsivi

Giaretta, Lauro
2010/2011

Abstract

Lo scopo di questa tesi è lo studio dei meccanismi di degradazione degli switch sottoposti a stess impulsivi. Il fine è quello di trovare un modo per accelerare i fenomeni di microwelding per testare eventuali sistemi di restoring. I dispositivi usati sono RF-MEMS resistivi di tipo serie e shunt prodotti da FBK-IRST di Trento e disegnati dall'ARCES-DEIS di Bologna e dall'Università di Perugia
2010-12-07
106
RF-MEMS, stress impulsivi, microwelding
Tazzoli, Augusto
Lauree specialistiche
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/14244