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Characterization of ESD protection structures for 65 nm CMOS technology
2010/2011 Di Biccari, Leonardo
Meccanismi di degradazione in switch RF-MEMS per applicazioni spaziali sottoposti a stress impulsivi
2010/2011 Giaretta, Lauro
Modellizzazione elettromeccanica e studio del transitorio di attuazione di interruttori RF-MEMS per incrementare l'affidabilita' in stress di ciclatura
2010/2011 Ritrovato, Vincenzo
Sviluppo di un set-up di misura innovativo per lo studio del fenomeno del dielectric charging in dispositivi RF-MEMS
2011/2012 Mattiuzzo, Francesca
Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
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Lauree specialistiche | 2010 | Characterization of ESD protection structures for 65 nm CMOS technology | - | Di Biccari, Leonardo | |
Lauree specialistiche | 2010 | Meccanismi di degradazione in switch RF-MEMS per applicazioni spaziali sottoposti a stress impulsivi | - | Giaretta, Lauro | |
Lauree specialistiche | 2010 | Modellizzazione elettromeccanica e studio del transitorio di attuazione di interruttori RF-MEMS per incrementare l'affidabilita' in stress di ciclatura | - | Ritrovato, Vincenzo | |
Lauree specialistiche | 2011 | Sviluppo di un set-up di misura innovativo per lo studio del fenomeno del dielectric charging in dispositivi RF-MEMS | - | Mattiuzzo, Francesca |
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