Caratterizzazione di Gate Oxide Monitor e strutture di protezione concentrate e distribuite per ESD in tecnologia BCD8

In questa tesi è stata esaminata la robustezza alle scariche elettrostatiche degli ossidi di gate di transistor nMOS e pMOS Smart Power e di alcune strutture di protezione a clamp concentrato e distribuito fabbricati in tecnologia BCD e forniti da STMicroelectronics. Sono stati presi in esame ossidi di due spessori diversi, rispettivamente 35 Å e 70 Å, e sono stati effettuati test sia in DC che con impulsi di durata variabile. Lo scopo di queste misurazioni è stato quello di fornire dei valori di massima per l’indagine della Safe Operating Area dei MOS in esame, per consentire ai progettisti di avere dei valori di tolleranza sull’impatto che devono avere le sottoreti di scarica per non danneggiare il circuito che devono proteggere. È stata inoltre esaminata la tolleranza di strutture di protezione a clamp concentrato e distribuito (sia open loop che closed loop), anche nella versione con i pad protetti da diodi