La tesina si pone lo scopo di realizzare una panoramica generale sull'elettronica organica a film sottile, con particolare riferimento ai transistors organici. Di questi ultimi si approfondisce il meccanismo di conduzione della carica, distinguendo fra transistors tipo p e tipo n, ed i fenomeni di ostacolo alla medesima. Viene riportato un modello matematico del comportamento elettrico per il dispositivo tipo p. In conclusione alla tesina sono indicati i campi di applicazione e le prospettive di mercato in confronto all'elettronica del silicio, principale concorrente di quella organica

Caratterizzazione elettrica dei transistors organici

Stival, Davide
2011/2012

Abstract

La tesina si pone lo scopo di realizzare una panoramica generale sull'elettronica organica a film sottile, con particolare riferimento ai transistors organici. Di questi ultimi si approfondisce il meccanismo di conduzione della carica, distinguendo fra transistors tipo p e tipo n, ed i fenomeni di ostacolo alla medesima. Viene riportato un modello matematico del comportamento elettrico per il dispositivo tipo p. In conclusione alla tesina sono indicati i campi di applicazione e le prospettive di mercato in confronto all'elettronica del silicio, principale concorrente di quella organica
2011-07-21
41
OTFT, OFET, nOFET, pOFET, transistor organico
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/14612