Dissipazione di potenza nei circuiti CMOS: origini e tecniche per la riduzione

Il continuo scaling dei MOSFET ha comportato, oltre ai benefici di maggior integrazione, capacità computazionale e maggior funzionalità, un aumento preoccupante del consumo di potenza dei circuiti. Ciò è dovuto sia ad una componente dinamica, causata dallo switch dei singoli dispositivi, sia ad una componente statica, cioè provocata da correnti di perdita, la cui intensità è aumentata con la diminuzione delle dimensioni dei transistor. In questo lavoro vengono analizzate velocemente le principali cause di consumo statico e i fattori che maggiormente le influenzano. Successivamente vengono presentate varie tecniche utili alla riduzione del consumo di potenza, sia della componente dinamica che di quella statica e che agiscono a diversi livelli di astrazione