Affidabilità e studio degli effetti parassiti su GaN HEMT con barriera e buffer ottimizzati

Negli ultimi dieci anni il Nitruro di Gallio (GaN) è stato oggetto di un notevole interesse nei campi dell'optoelettronica e dell'elettronica di potenza. Il GaN è un semiconduttore composto con ottime proprietà fisiche: largo band gap, alti campi di breakdown, frequenze e temperature di lavoro molto elevate. Questo materiale è alla base delle eterostrutture AlGaN/GaN, utilizzate nella realizzazione di transistor ad elevata mobilità (HEMT, Higth Electron Mobility Transistor). In particolare in questa tesi saranno presentate delle misure su dispositivi di quattro wafer diversi. I dati riportati hanno quindi lo scopo di capire il comportamento di dispositivi con eterostrutture lievemente diverse in varie condizioni di lavoro, in maniera da poter verificare quali siano i fattori che maggiormente compromettono le caratteristiche statiche, dinamiche e l’affidabilità di questi dispositivi