Breve descrizione dei più comuni dispositivi di potenza su Si e di modelli sperimentali su GaN, con relativa caratterizzazione DC e dinamica. Confronto tra le tecnologie su Si e HEMT su GaN

Caratterizzazione DC e dinamica di dispositivi di potenza su GaN

Grassi, Biagio
2013/2014

Abstract

Breve descrizione dei più comuni dispositivi di potenza su Si e di modelli sperimentali su GaN, con relativa caratterizzazione DC e dinamica. Confronto tra le tecnologie su Si e HEMT su GaN
2013-07-22
HEMT, GaN
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/16855