Breve descrizione dei più comuni dispositivi di potenza su Si e di modelli sperimentali su GaN, con relativa caratterizzazione DC e dinamica. Confronto tra le tecnologie su Si e HEMT su GaN
Caratterizzazione DC e dinamica di dispositivi di potenza su GaN
Grassi, Biagio
2013/2014
Abstract
Breve descrizione dei più comuni dispositivi di potenza su Si e di modelli sperimentali su GaN, con relativa caratterizzazione DC e dinamica. Confronto tra le tecnologie su Si e HEMT su GaNFile in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/16855