Variabilità degli errori, ovvero bit flip, dovuti alla dose totale ionizzante (TID) in memorie Flash SLC da 25 nm. Più di 1 Terabit di celle è stato esposto a raggi gamma da Co-60 e sono stati misurati gli errori indotti dalla radiazione ionizzante. L'obiettivo della tesi è stato lo studio del comportamento delle memorie Flash nello spazio e prevederne l’affidabilità.
Statistical analysis of Total Ionizing Dose response in 25-nm NAND Flash memory
Ferrarese, Federica
2014/2015
Abstract
Variabilità degli errori, ovvero bit flip, dovuti alla dose totale ionizzante (TID) in memorie Flash SLC da 25 nm. Più di 1 Terabit di celle è stato esposto a raggi gamma da Co-60 e sono stati misurati gli errori indotti dalla radiazione ionizzante. L'obiettivo della tesi è stato lo studio del comportamento delle memorie Flash nello spazio e prevederne l’affidabilità.File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/18303