Diffusione ed incorporazione di P in nanocristalli di Si in matrice di ossido di silicio

Negli ultimi anni vi è un interesse sempre crescente per il drogaggio di semiconduttori nanostrutturati. Questa tesi si inserisce in una linea di ricerca mirata a studiare sperimentalmente e modellizzare la diffusione ed incorporazione di P su Si-NCo di 4 nm di diametro immersi in una matrice di SiO2. La novità di questo esperimento consiste nel fatto che il P diffonde e segrega nei NcS dopo la loro formazione