Separazione elettromagnetica delle impurità nel silicio fuso

Lo scopo di questa tesi è lo studio elettromagnetico e termico del metodo per la separazione delle impurità nel silicio fuso attraverso l’applicazione di un campo elettromagnetico. Questo approccio sfrutta la differenza di conduttività che esiste tra le impurità e lo stesso silicio fuso. L’analisi è fatta usando il metodo degli elementi finiti con implementazione in MATLAB, concentrandosi sui casi in cui la frequenza della corrente di alimentazione dell’induttore è di 1 kHz e 11 kHz