Il lavoro di tesi si è concentrato sullo studio dell'affidabilità di una tecnologia di transistor HEMT AlGaN/GaN per applicazioni spaziali. Lo studio è stato effettuato attraverso un test di storage a tre temperature. A intervalli regolari i dispositivi sono stati sottoposti a caratterizzazioni DC e dinamiche, oltre all'analisi dei transienti della corrente. Il lavoro si è concluso con una stima del tempo di vita e una valutazione dei fenomeni di degrado osservati
Affidabilità e stima del tempo di vita di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali
Vertuan, Marcello
2015/2016
Abstract
Il lavoro di tesi si è concentrato sullo studio dell'affidabilità di una tecnologia di transistor HEMT AlGaN/GaN per applicazioni spaziali. Lo studio è stato effettuato attraverso un test di storage a tre temperature. A intervalli regolari i dispositivi sono stati sottoposti a caratterizzazioni DC e dinamiche, oltre all'analisi dei transienti della corrente. Il lavoro si è concluso con una stima del tempo di vita e una valutazione dei fenomeni di degrado osservatiFile in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/19588