In questa tesi, frutto di un anno di tirocinio al CERN, vengono esposte le problematiche presenti nei dispositivi MOSFET esposti a livelli ultra-elevati di dose ionzizante. Tali effetti si verificano unicamente in un'ambiente al mondo: LHC. La tesi si concentra su un fenomeno ritenuto assente nelle tecnologie MOSFET: la sensibilità al dose-rate. Tassi di irraggiamento piu' bassi producuono a parità di TID danni estremamente piu elevati rispetto ad irraggiamenti piu veloci.
Degradation and Dose-Rate Dependence in Decananometer MOSFETs Exposed to Ultra-High Levels of Total Ionizing Dose
Costanzo, Sebastiano
2019/2020
Abstract
In questa tesi, frutto di un anno di tirocinio al CERN, vengono esposte le problematiche presenti nei dispositivi MOSFET esposti a livelli ultra-elevati di dose ionzizante. Tali effetti si verificano unicamente in un'ambiente al mondo: LHC. La tesi si concentra su un fenomeno ritenuto assente nelle tecnologie MOSFET: la sensibilità al dose-rate. Tassi di irraggiamento piu' bassi producuono a parità di TID danni estremamente piu elevati rispetto ad irraggiamenti piu veloci.File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/23974