Il seguente elaborato di tesi è focalizzato sullo studio delle caratteristiche elettriche e sull'affidabilità di transistor ad elevata mobilità elettronica (HEMT). Contiene risultati di test elettrici (Step stress, stress DC 24 ore e test in polarizzazione lungo retta di carico) e storage termico a 3 differenti temperature (275°C, 300°C, 325°C), nonchè uno studio sui meccanismi di fallimento osservarti sui dispositivi.
Studio delle caratteristiche elettriche e dell'affidabilità di transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) per sistemi di trasmissione oltre i 20 GHz
Fezzi, Giovanni
2020/2021
Abstract
Il seguente elaborato di tesi è focalizzato sullo studio delle caratteristiche elettriche e sull'affidabilità di transistor ad elevata mobilità elettronica (HEMT). Contiene risultati di test elettrici (Step stress, stress DC 24 ore e test in polarizzazione lungo retta di carico) e storage termico a 3 differenti temperature (275°C, 300°C, 325°C), nonchè uno studio sui meccanismi di fallimento osservarti sui dispositivi.File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/28849