Analisi della distorsione associata alle capacità di giunzione del BJT di uno stadio amplificatore elementare

Questa tesi analizza la non linearità introdotta dalle capacità di giunzione di un transistor a giunzione bipolare. Inizia con una breve descrizione delle capacità interne e del modello del BJT in alta frequenza, viene quindi effettuata una simulazione della risposta in frequenza di uno stadio amplificatore elementare in diversi punti di polarizzazione. Successivamente viene verificato come la frequenza di taglio dipenda dai diversi valori assunti delle capacità parassite. In un secondo momento viene svolto lo studio della distorsione di uno stadio amplificatore elementare associata alle due capacità di giunzione in una configurazione ad emettitore comune. Infine, vengono studiati alcuni accorgimenti per ridurre la non linearità, in particolare vengono messe a confronto diverse configurazioni cascode.