L’argomento centrale attorno al quale si sviluppa la tesi è il transistor, un componente elettronico di estrema importanza tecnologica che ha contribuito ad una rivoluzione sociale, la digitalizzazione. La tesi analizza la struttura del transistor mosfet, il suo funzionamento e il suo impiego nell’ambito dell’elettronica di potenza mettendo in luce i limiti fisici a cui il suo sviluppo sta andando incontro. Viene inoltre discusso l’utilizzo di semiconduttori ad ampia banda proibita nella costruzione dei transistor soffermandosi sulle loro attuali applicazioni e sugli importanti sviluppi che ne conseguono.

Semiconduttori ad ampia banda proibita, il futuro dell’elettronica di potenza

ALESSIO, PIETRO
2022/2023

Abstract

L’argomento centrale attorno al quale si sviluppa la tesi è il transistor, un componente elettronico di estrema importanza tecnologica che ha contribuito ad una rivoluzione sociale, la digitalizzazione. La tesi analizza la struttura del transistor mosfet, il suo funzionamento e il suo impiego nell’ambito dell’elettronica di potenza mettendo in luce i limiti fisici a cui il suo sviluppo sta andando incontro. Viene inoltre discusso l’utilizzo di semiconduttori ad ampia banda proibita nella costruzione dei transistor soffermandosi sulle loro attuali applicazioni e sugli importanti sviluppi che ne conseguono.
2022
Wide bandgap semiconductors, the future of power electronics
Wide bandgap
SiC
GaN
Power electronics
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/44044