L’argomento centrale attorno al quale si sviluppa la tesi è il transistor, un componente elettronico di estrema importanza tecnologica che ha contribuito ad una rivoluzione sociale, la digitalizzazione. La tesi analizza la struttura del transistor mosfet, il suo funzionamento e il suo impiego nell’ambito dell’elettronica di potenza mettendo in luce i limiti fisici a cui il suo sviluppo sta andando incontro. Viene inoltre discusso l’utilizzo di semiconduttori ad ampia banda proibita nella costruzione dei transistor soffermandosi sulle loro attuali applicazioni e sugli importanti sviluppi che ne conseguono.
Semiconduttori ad ampia banda proibita, il futuro dell’elettronica di potenza
ALESSIO, PIETRO
2022/2023
Abstract
L’argomento centrale attorno al quale si sviluppa la tesi è il transistor, un componente elettronico di estrema importanza tecnologica che ha contribuito ad una rivoluzione sociale, la digitalizzazione. La tesi analizza la struttura del transistor mosfet, il suo funzionamento e il suo impiego nell’ambito dell’elettronica di potenza mettendo in luce i limiti fisici a cui il suo sviluppo sta andando incontro. Viene inoltre discusso l’utilizzo di semiconduttori ad ampia banda proibita nella costruzione dei transistor soffermandosi sulle loro attuali applicazioni e sugli importanti sviluppi che ne conseguono.File | Dimensione | Formato | |
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/44044