Ricerca e sviluppo di ricoprimenti a film sottile di SiO₂, depositati attraverso tecnica PECVD

L’attività di ricerca riportata nell’elaborato consiste nella deposizione di film sottili di silice (SiO2) su substrati di quarzo e silicio tramite tecnica PECVD (Plasma Enhanced Chemical Deposition), sfruttando la reazione chimica tra il precursore organometallico Esametildisilossano (HMDSO) e il plasma reattivo generato nella camera di deposizione. I ricoprimenti sono stati realizzati variando la pressione parziale dei gas presenti in camera di processo e successivamente sono stati caratterizzati attraverso tecniche non distruttive, quali: profilometria, spettroscopia IR e AFM (atomic force microscopy). Infine, per garantire la riproducibilità dei processi, gli stessi sono stati monitorati tramite spettroscopia ad emissione ottica (OES), che valuta la composizione del plasma in funzione del tempo.