Tecniche di gestione termica di transistor di potenza GaN

Negli ultimi anni è emerso sempre di più quanto sia necessario ridurre l’impatto ambientale delle attività umane, argomenti come transizione energetica verso fonti rinnovabili e mobilità elettrica diventano sempre più importanti. In tutti questi ambiti l’elettronica di potenza svolge un ruolo fondamentale, diventa quindi essenziale il continuo sviluppo di tecnologie che permettano a convertitori, inverter e altri dispositivi, di ottenere la miglior efficienza possibile. A questo scopo, MOSFET al carburo di silicio (SiC) e al nitruro di gallio (GaN) vengono sempre più utilizzati in applicazioni di potenza al posto dei classici MOSFET in silicio. Oltre alla tecnologia utilizzata, per ottimizzare l’efficienza è essenziale curare al meglio il design del dispositivo, sia dal punto di vista elettrico ma anche dal punto di vista termico. Lo scopo di questo elaborato è quello di andare ad evidenziare quest’ultimo aspetto, andando ad analizzare diverse tecniche di gestione termica di un dispositivo GaN destinato ad applicazioni di potenza.