Negli ultimi anni è emerso sempre di più quanto sia necessario ridurre l’impatto ambientale delle attività umane, argomenti come transizione energetica verso fonti rinnovabili e mobilità elettrica diventano sempre più importanti. In tutti questi ambiti l’elettronica di potenza svolge un ruolo fondamentale, diventa quindi essenziale il continuo sviluppo di tecnologie che permettano a convertitori, inverter e altri dispositivi, di ottenere la miglior efficienza possibile. A questo scopo, MOSFET al carburo di silicio (SiC) e al nitruro di gallio (GaN) vengono sempre più utilizzati in applicazioni di potenza al posto dei classici MOSFET in silicio. Oltre alla tecnologia utilizzata, per ottimizzare l’efficienza è essenziale curare al meglio il design del dispositivo, sia dal punto di vista elettrico ma anche dal punto di vista termico. Lo scopo di questo elaborato è quello di andare ad evidenziare quest’ultimo aspetto, andando ad analizzare diverse tecniche di gestione termica di un dispositivo GaN destinato ad applicazioni di potenza.
Tecniche di gestione termica di transistor di potenza GaN
TURATO, ALESSANDRO
2022/2023
Abstract
Negli ultimi anni è emerso sempre di più quanto sia necessario ridurre l’impatto ambientale delle attività umane, argomenti come transizione energetica verso fonti rinnovabili e mobilità elettrica diventano sempre più importanti. In tutti questi ambiti l’elettronica di potenza svolge un ruolo fondamentale, diventa quindi essenziale il continuo sviluppo di tecnologie che permettano a convertitori, inverter e altri dispositivi, di ottenere la miglior efficienza possibile. A questo scopo, MOSFET al carburo di silicio (SiC) e al nitruro di gallio (GaN) vengono sempre più utilizzati in applicazioni di potenza al posto dei classici MOSFET in silicio. Oltre alla tecnologia utilizzata, per ottimizzare l’efficienza è essenziale curare al meglio il design del dispositivo, sia dal punto di vista elettrico ma anche dal punto di vista termico. Lo scopo di questo elaborato è quello di andare ad evidenziare quest’ultimo aspetto, andando ad analizzare diverse tecniche di gestione termica di un dispositivo GaN destinato ad applicazioni di potenza.File | Dimensione | Formato | |
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https://hdl.handle.net/20.500.12608/57113