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Affidabilità e stima del tempo di vita di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali
2015/2016 Vertuan, Marcello
Affidabilità e studio degli effetti parassiti su GaN HEMT con barriera e buffer ottimizzati
2011/2012 Crivellaro, Federico
Analisi dei fenomeni di intrappolamento su dispositivi HEMT su GaN con diverso profilo di Fe-doping nel buffer
2012/2013 Torresan, Federico
Analisi della stabilità di due generazioni di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali
2013/2014 Dalcanale, Stefano
Studio della robustezza di HEMT su GaN mediante stress accelerati
2010/2011 Silvestri, Riccardo
Tipologia | Anno | Titolo | Titolo inglese | Autore | File |
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Lauree magistrali | 2015 | Affidabilità e stima del tempo di vita di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali | - | Vertuan, Marcello | |
Lauree magistrali | 2011 | Affidabilità e studio degli effetti parassiti su GaN HEMT con barriera e buffer ottimizzati | - | Crivellaro, Federico | |
Lauree magistrali | 2012 | Analisi dei fenomeni di intrappolamento su dispositivi HEMT su GaN con diverso profilo di Fe-doping nel buffer | - | Torresan, Federico | |
Lauree magistrali | 2013 | Analisi della stabilità di due generazioni di transistor GaN HEMT per applicazioni spaziali | - | Dalcanale, Stefano | |
Lauree specialistiche | 2010 | Studio della robustezza di HEMT su GaN mediante stress accelerati | - | Silvestri, Riccardo |
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